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        介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗測(cè)試儀*

        型 號(hào)GDAT-C

        更新時(shí)間2024-11-19

        廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家

        報(bào)價(jià)

        產(chǎn)品描述:它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

        產(chǎn)品概述

        介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗測(cè)試儀*它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

         

        c類數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz~60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。它能測(cè)量高頻電感器的Q值,電感量和分布電容量;電容器的電容量和損耗角。配以?shī)A具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對(duì)固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗(tanδ)和介電常數(shù)(ε),高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測(cè)試。本Q表依照國(guó)家計(jì)量檢定規(guī)程:“JJF1073-2000高頻Q表校準(zhǔn)規(guī)范”執(zhí)行。

         

        1 特點(diǎn):
        ◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值讀取技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q。
        ◎ DPLL合成發(fā)生10kHz~60MHz,測(cè)試信號(hào)。
        ◎ 低至20nH殘余電感,保證高頻時(shí)直讀Q值的誤差較小。
        ◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
        ◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
        ◎ 數(shù)字化Q值預(yù)置,能提高批量測(cè)試的可靠性和速度。

        介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀由Q表、測(cè)試裝置,電感器及標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成,能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

         介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz~60MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

          本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成,平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。同樣,由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

        1 特點(diǎn):                            
        ◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

        ◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

        ◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

        ◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。

        ◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

        ◎ DPLL合成發(fā)生10kHz~60MHz, 100kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

        ◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。


        2 主要技術(shù)指標(biāo):

        2.1 tanδε性能:

        2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~60MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

        2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:

              tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

        2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):

              tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

        2 主要技術(shù)指標(biāo):
        2.1 測(cè)試信號(hào)頻率范圍:10kHz~60MHz,數(shù)字合成,可數(shù)字設(shè)置或連續(xù)調(diào)節(jié),五位有效數(shù)顯。
        2.2 Q值測(cè)量范圍:1~1000四位數(shù)顯,分辨率0.1Q。分100、316、999三檔,量程可自動(dòng)切換。
        2.3 Q值固有誤差:±5%±3% 滿刻度值。
        2.4 有效電感測(cè)量范圍:0.1µH~1000mH。
        2.5 電感測(cè)量誤差:≤5%±0.02µH
        2.6 調(diào)諧電容特性:
        2.6.1可調(diào)電容范圍:40pF~500 pF。
        2.6.2 精確度:±1% 或0.5pF。
        2.6.3微調(diào)電容器:-3pF~0~+3pF,分辨率:0.2pF
        2.6.4殘余電感值:約30nH。
        2.7 Q預(yù)置功能:Q預(yù)置范圍:1~1000均可。被測(cè)件達(dá)到預(yù)置值后有“GO”顯示和蜂鳴聲提示。不合格件則顯示“NO GO”。
        2.8 外形尺寸及重量:415×180×170(mm),6.5kg。

        BH916 介質(zhì)損耗測(cè)試裝置(數(shù)顯)

           BH916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置與C類Q表及電感器配用,能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
          本測(cè)試裝置是由測(cè)微平板電容器組成,平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)變化通過公式計(jì)算得到。同樣,由平板電容器的刻度讀數(shù)變化,通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

        1工作特性
        1.1 平板電容器:
        1.1.1 極片尺寸:
         c類-38:Φ38mm.
          c類-50:Φ50mm. 
        1.1.2 極片間距可調(diào)范圍和分辨率:
          ≥8mm, ±0.002mm
        1.2 夾具插頭間距:
          25mm±1mm
        1.3夾具損耗角正切值
          ≤2.5×10-4

        附表二,LKI-1電感組典型測(cè)試數(shù)據(jù)

        線圈號(hào) 測(cè)試頻率         Q值   分布電容p     電感值
          9    100KHz          98     9.4          25mH
          8    400KHz         138    11.4        4.87mH
          7    400KHz         202    16          0.99mH
          6      1MHz         196    13          252μH
          5      2MHz         198     8.7       49.8μH
          4    4.5MHz         231      7          10μH
          3     12MHz         193     6.9       2.49μH
          2     12MHz         229     6.4      0.508μH
          1     25MHz 50MHz  233211   0.9      0.125μH

         

        標(biāo)簽:介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介電常數(shù)測(cè)試儀 介質(zhì)損耗測(cè)試儀  介質(zhì)損耗介電常數(shù)測(cè)試儀

         

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