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        陶瓷橡膠電壓擊穿試驗(yàn)儀

        型 號BDJC-50KV

        更新時(shí)間2024-11-25

        廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家

        報(bào)價(jià)38000

        產(chǎn)品描述:陶瓷橡膠電壓擊穿試驗(yàn)儀技術(shù)參數(shù)01、輸入電壓: 交流 220 V。02、輸出電壓: 交流 0--50KV ; 直流 0—50kv 。03、電器容量:3KVA。04、高壓分級:0—50KV,(全程可調(diào))。05、升壓速率:0.1KV/s-5kv/s 可調(diào)(備注:滿足標(biāo)準(zhǔn)要求并可以根據(jù)用戶需求設(shè)定不同的升壓速率)。

        產(chǎn)品概述

         陶瓷橡膠電壓擊穿試驗(yàn)儀擊穿電壓是使電介質(zhì)擊穿的電壓,電介質(zhì)在足夠強(qiáng)的電場作用下將失去其介電性能成為導(dǎo)體,稱為電介質(zhì)擊穿,所對應(yīng)的電壓稱為擊穿電壓。電介質(zhì)擊穿時(shí)的電場強(qiáng)度叫擊穿場強(qiáng)。 在強(qiáng)電場作用下,固體電介質(zhì)喪失電絕緣能力而由絕緣狀態(tài)突變?yōu)榱紝?dǎo)電狀態(tài)。導(dǎo)致?lián)舸┑呐R界電壓稱為擊穿電壓,在均勻電場中,擊穿電壓與固體電介質(zhì)厚度之比稱為擊穿電場強(qiáng)度,它反映固體電介質(zhì)自身的耐電強(qiáng)度。 不均勻電場中,擊穿電壓與擊穿處固體電介質(zhì)厚度之比稱為平均擊穿場強(qiáng),它低于均勻電場中固體電介質(zhì)的介電強(qiáng)度。不同電介質(zhì)在相同溫度下,其擊穿場強(qiáng)不同。當(dāng)電容器介質(zhì)和兩極板的距離d一定后,由U1-U2=Ed知,擊穿場強(qiáng)決定了擊穿電壓。 陶瓷橡膠電壓擊穿試驗(yàn)儀不均勻電場中,空氣擊穿電壓和場強(qiáng)成反比。極不均勻電場間隙擊穿特性分析階段。極不均勻電場氣隙中,因間隙距離大,擊穿電壓主要取決于間隙距離,而與電極形狀關(guān)系不大,所以以棒-棒電極或棒一板電極作為研究極不均勻電場放電特性的典型電極。

        型號

        BDJC-50KV

        最高輸出電壓

        50Kv

        變壓器容量

        3KVa

        升壓器容量

        2kva

        工作電壓

        220v±10 的單相交流電壓和 50Hz±1的頻率

        控制方式

        西門子PLC

        試驗(yàn)方式:

        交/直流試驗(yàn):1、勻速升壓 2、梯度升壓 3、耐壓試驗(yàn)

        試驗(yàn)介質(zhì)

        空氣/絕緣油  標(biāo)配方便拆裝的油浴裝置

        升壓裝置

        采用先進(jìn)的無觸點(diǎn)原件勻速升壓淘汰前款機(jī)械調(diào)壓

        升壓速度

        0.1kv-5.0kv/s  自用設(shè)定

        耐壓時(shí)間

        軟件設(shè)定>10H

        試驗(yàn)精度

        ≤1%

        漏電流選擇

        0-150mA

        控制方式

        232/485/網(wǎng)口/無線

        擊穿判斷方式

        電壓/電流

        放電方式

        自動放電

        變壓器變比

        1:500

        采集方式

        變壓器0-100v輸出

        升壓速度

        0.1-5.0kv/S

        棒極附近產(chǎn)生的電暈,帶電粒子定向運(yùn)動,正離子向板極運(yùn)動,由于速度慢,就在棒極附近形成電荷積累區(qū),使未游離區(qū)的電場強(qiáng)度增大,而導(dǎo)致?lián)舸╇妷航档汀?br/>

        電容器在不高于擊穿電壓下工作都是安全可靠的,不要誤認(rèn)為電容器只有在額定電壓下工作才是正常的。

        當(dāng) PN 結(jié)的反向偏壓較高時(shí),會發(fā)生由于碰撞電離引發(fā)的電擊穿,即雪崩擊穿。存在于半導(dǎo)體晶體中的自由載流子在耗盡區(qū)內(nèi)建電場的作用下被加速其能量不斷增加,直到與半導(dǎo)體晶格發(fā)生碰撞,碰撞過程釋放的能量可能使價(jià)鍵斷開產(chǎn)生新的電子空穴對。

        新的電子空穴對又分別被加速與晶格發(fā)生碰撞,如果平均每個(gè)電子(或空穴)在經(jīng)過耗盡區(qū)的過程中可以產(chǎn)生大于 1 對的電子空穴對,那么該過程可以不斷被加強(qiáng),最終達(dá)到耗盡區(qū)載流子數(shù)目激增,PN 結(jié)發(fā)生雪崩擊穿。

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